经过一番热烈的讨论，最终形成了一个初步的半导体产业生态名单。

薄膜沉积设备领域，沈阳科学仪器厂，作为拓荆科技的前身，被规划负责研发首台国产 LPCVD 炉 SY-1，该厂技术团队技术储备丰富，对设备研发有成熟的思路，规划中的 SY-1 炉温控精度预计能达到正负 3°C，而且还能适配南京特种气体厂所产国产硅烷。

同时，会议提出推动沈阳科学仪器厂与苏维埃联盟库尔恰托夫研究所开展合作，引入 PECVD 等离子体技术，进一步优化设备性能。

京城仪器厂则计划承接莱宝磁控溅射台的仿制工作，产品命名为 BJP-1，BJP-1 将支持铝金属化层沉积，团队拟定目标，让靶材纯度达到 99.9% 。

蚀刻设备方面，苏州净化设备厂凭借现有技术，计划自主设计石英蚀刻槽。这一蚀刻槽将与南通化工厂经提纯工艺产出的国产氢氟酸配套使用，目标实现 4 英寸晶圆的批量蚀刻。

中电科 48 所则负责推出首台 RIE 设备 RIE-89，采用 CF4 气体蚀刻多晶硅，考虑到技术和成本限制，初步设定该设备蚀刻均匀性控制在 ±10%，待技术成熟后，再向国际标准 ±5% 靠拢。

掺杂设备领域，中科院京城科仪厂规划试制 BJI-200 中束流机型，该机型能量范围设计为 20 - 150keV，束流稳定性目标达 80%，为简化设备切换步骤、提升生产效率，会议还计划推动该厂与双旦大学合作，联合开发硼磷共掺杂工艺。

原材料与耗材供应链建设部分的企业名单同样经过了充分的讨论。

硅片制备环节，洛阳单晶硅厂将通过引进日本 Ferrotec 的 MCZ 磁场直拉法技术，预定在 1988 年实现 4 英寸硅片量产，并将电阻率均匀性控制在 ±15%。

长安理工大学晶体所研发的内圆切割机金刚石刀片，国产化率已达 70%，按规划，到 1989 年，该厂抛光片粗糙度有望达到 0.5nm，逼近国际标准 0.3nm。

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